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[判断题]
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。（)
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A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体
A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
