题目内容
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[单选题]
以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（)。
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
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B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
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【题目描述】
第 23 题 以下关于建造师的说法中，正确的是（）。
| 【我提交的答案】： |
| 【参考答案与解析】： 正确答案：B |
【我的疑问】（如下，请求专家帮助解答）
第 23 题 以下关于建造师的说法中，正确的是（）。
