题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为负,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】
某半导体存在温度差时,在半导体两端产生了电动势,若半导体的高温端Vs为负,则该半导体是()型半导体。【填写“N”或“P”】
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A.载流子在浓度梯度作用下的定向运动
B.均匀掺杂的半导体,处于热平衡状态时,不产生扩散运动
C.不论是平衡载流子还是非平衡载流子,只要存在浓度梯度,都会产生扩散运动
D.载流子在电场作用下的定向运动
E.载流子的无规则热运动
F.扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一
A.超导技术的关键是在某一温度下,将电阻降为零
B.电阻为零的情况下,将没有热能的损耗
C.半导体的电阻会随着温度及光强的变化而变化,为此可以制成热敏电阻和光敏电阻等
D.铜是一种超导材料
A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差
B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体
C.通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体
D.通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体
A.计量型交叉模型MSA
B.计量型嵌套模型MSA
C.属性一致性分析
D.方差分析
A.金属和重掺杂的半导体接触,使得半导体一侧的势垒很薄,电子的输运主要以隧道效应为主,形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触
A.挖掘潜在的因子必须使用因果图
B.挖掘潜在的因子必须使用变量流程图
C.当项目范围涉及到比较多的流程时,使用变量流程图要好些
D.当项目范围涉及到比较多的流程时,使用因果图要好些