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[填空题]

电子装联过程中,搪锡用温控锡锅应可靠接地,温度可调控,控温精度为±5℃,并定期()。

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第1题
电子装联过程中,搪锡用温控锡锅应可靠接地,温度可调控,控温精度为(),并定期检定。
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第2题
搪锡后的元器件应及时装焊,一般不超过7h,暂不装联的元器件应放入密封容器内或采取其他防氧化措施保护,一般应在()内完成装联。
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第3题
电子元器件在搪锡前,应进行引线校直(玻璃绝缘子密封的继电器及大功率管的引线除外),一般选用无齿平头钳进行操作,禁止使用()校直引线。
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第4题
一次线可釆用母排或电缆,母排与母排、母排与接线端子的连接,其搭接面的处理应符合要求,下列说法正确的是()。

A.铜与铜:当处于室外、高温且潮湿的室内,搭接面搪锡或镀银;干燥的室内可不搪锡、不镀银

B.铝与铝:可直接搭接

C.钢与钢:搭接面搪锡或镀锌

D.铜与铝:在干燥的室内,铜导体搭接面搪锡;在潮湿场所,铜导体搭接面应搪锡或镀银,且采用铜铝过渡连接

E.钢与铜或铝:钢搭接面搪锡或镀锌

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第5题
扁平封装集成电路应先()后搪锡处理,搪锡后应进行共面性检查,保证引线焊端共面性小于0.1mm。
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第6题
扁平封装集成电路应先成形后搪锡处理,搪锡后应进行共面性检查,保证引线焊端共面性()。
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第7题
铜与铝的搭接面,在干燥的室内,铜导体应()。

A.镀锌

B.搪锡

C.喷漆

D.镀银

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第8题
波峰焊接机应具有双波峰,且保证均匀加热,在焊接操作期间,预热温度、锡槽温度的温控精度应为±5℃,速度变化应不大于()。
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第9题
镀金元器件引线在锡锅中除金时,第一次应在()中搪锡,第二次在普通锡锅中搪锡。
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第10题
DIP封装器件在搪锡时引脚穿过两层纱布后,再进行搪锡操作。搪锡结束后用浸()的无尘纸/棉球对引脚及器件底面擦拭干净,去除多余物。
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第11题
DIP封装器件在搪锡时引脚穿过()纱布后,再进行搪锡操作。搪锡结束后用浸无水乙醇/异丙醇的无尘纸/棉球对引脚及器件底面擦拭干净,去除多余物。
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