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[主观题]
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为()。
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（)。
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更多“在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N…”相关的问题
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
A.载流子在浓度梯度作用下的定向运动
B.均匀掺杂的半导体，处于热平衡状态时，不产生扩散运动
C.不论是平衡载流子还是非平衡载流子，只要存在浓度梯度，都会产生扩散运动
D.载流子在电场作用下的定向运动
E.载流子的无规则热运动
F.扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
车间员工在使用物料(包括原辅料、中间体、包材)时发现物料有异常现象(有异物掺杂、外包装破损、颜色、气味改变、霉变、吸潮、生虫、受污染等)时，应该马上停止使用并报告车间负责人或工艺技术人员，填写异常物料相关信息，按偏差管理程序处理。()
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
A.在擦版过程中，一定要将印版上非图文部分的油墨擦拭干净
B.擦版后印版图纹部分内的油墨必须饱满充实
C.擦版箱应有一套锁紧装置，在印刷过程中必须将其锁紧
D.印刷过程中，擦版辊压力越大越好，避免擦不净
