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A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
A.由光激发产生的电子，无法到达导带，与留在价带中的空穴通过库仑力结合在一起，形成一种处于激发状态的新系统
B.新系统中的电子和空穴不能单独移动
C.整个系统呈电中性
D.激子具有和孤立氢原子相同的量子化能级
E.新系统中的电子和空穴可以单独移动
F.通常半导体材料中的激子在室温下就可以观察到
