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第4题
人的运动规律人走路过程中，当脚步迈出身体的高度就降低当一只脚着地而另一种脚向前移至两腿像话时身体的高度就升高，整个身体是()
A.弧形运动
B.波浪型运动
C.“S”型运动
D.直线行运动
第5题
人的运动规律人走路过程中，当脚步迈出时身体的高度就降低，当一只脚着地而另一只脚向前移至两腿相交时身体的高度就升高，整个身体呈：()
A.弧形运动
B.波浪型运动
C.“S”型运动
D.直线行运动
第8题
以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（)。
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
第11题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
