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题目内容（请给出正确答案）

[多选题]

三极管由（)构成。

A.发射区

B.基区

C.收集区

D.源区

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第1题

基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。（)

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第2题

三极管的发射区面积大，杂质浓度高，多数载流子数量多。（)

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第3题

关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

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第4题

关于N型半导体的下列说法，正确的是（)。

A.只存在一种载流子：自由电子

B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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第5题

二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示),其他的两个电极成为集电极（用字母c表示)和发射极（用字母表示)。（)

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第6题

每个辅助逆变器是由触网提供的1500VDC列车线经（)供电的。

A.列车总线

B.列车线

C.二级管

D.三极管

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第7题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点（）。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第8题

少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel。（)

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第9题

以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了在基区中的运动，该载流子做运动。（)

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

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第10题

下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度：（）。

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度

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第11题

由于平面晶体管的基区宽度WB容易做得很小，加上基区中存在加速场，因此平面晶体管的β*与1非常接近。（)

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