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第2题
下面哪种器件属于常用的三端器件？它具有栅极G、集电极C和发射极E，它综合了GTR和Power－MOSFET的优点。（)
A.绝缘栅双极晶体管
B.门极可关断晶闸管
C.静电感应晶体管
D.集成门极换流晶闸管
第4题
什么是超晶格结构？（)
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
第6题
对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？（)
A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
