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更多“PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变…”相关的问题
第1题
对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？（)
A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
第2题
什么是超晶格结构？（)
A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构
B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构
C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构
第4题
下列选项中，不属于平衡计分卡实现的四个平衡的是：A 财务和非财务的平衡B 外部和内部的平衡C 结
下列选项中，不属于平衡计分卡实现的四个平衡的是：
A 财务和非财务的平衡
B 外部和内部的平衡
C 结果和驱动的平衡
D 主观和客观的平衡
第5题
下列集合A的势是什么？ a)A={ ＜ p,q)|p,q都是整数}。 b)A={ ＜ p,q)|p,q都是有理数}。 c)A是由所有半径为1,圆心在r轴上的圆周所组成的集合。 d)A是由实数轴上所有两两不相交的有限开区问组成的集合。
第6题
在实际情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（)
A.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
E.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
