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[单选题]

光刻工艺是晶圆制造中非常精细一个流程,为保证曝光精度,必须要考虑如下哪些参数()。

A.特征尺寸

B.分辨率

C.套刻精度

D.工艺宽容度

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第1题
最终良率主要由每一步工艺的良率的积组成,从晶圆制造,中测,封装到成测,每一步都会对良率产生影响,其中成为影响良品率的主要因素是()。

A.中测

B.封装

C.晶圆制造

D.成测

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第2题
使用前,按照()及工艺文件要求,选用合适的框架并检查有无异常,并在包装盒标签打“√”确认。

A.流程卡

B.晶圆管制卡

C.中测单

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第3题
来料产品要求盲封的,检验时需将晶圆边缘光刻不足芯片剔除。()
来料产品要求盲封的,检验时需将晶圆边缘光刻不足芯片剔除。()

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第4题
对晶向为<111>,6英寸N型半导体材料来说,()是作为放置第一步的光刻图形的掩膜版的依据。

A.主平面

B.次平面

C.两表平面均可

D.定位槽

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第5题
提篮按货架标识放置整齐,且()“与产品不分离”

A.晶圆管制卡

B.流程卡

C.中测单

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第6题
在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。

A.晶圆顶层的保护层

B.多层金属的介质层

C.多晶硅与金属之间的绝缘层

D.掺杂阻挡层

E.晶圆片上器件之间的隔离

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第7题
上芯加工过程始终围绕流程卡,晶圆统计表,压焊图三单进行看单作业。()
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第8题
交接班核算时发现空粘一条产品并流走,可将流程卡和晶圆统计表上芯合格数更改后流通。()
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第9题
下列属于WLP优点的是:()。

A.封装效率高:适应大直径晶圆片

B.具有FCP和CSP的技术特点:轻薄短小

C.引脚短,电、热性能好

D.符合当今的SMT技术潮流,适用SMT焊接工艺

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第10题
以产品生产工艺为划分类型的标志,可以把各种生产过程分为流程生产型和_______。

A.工艺生产型

B.制造流程型

C.加工装配型

D.装配备货型

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第11题
炼乳生产需要经过一个环节,蒸发浓缩。即将原料奶中大部分的水分蒸发。原始的方法是在锅里直接给原料乳加热,使其中的水分蒸发,由于常压下,水沸腾的温度在100°C左右,即造成原料奶中的营养成分破坏,会使部分炼乳颜色发生褐变.又会造成炼乳制造成本居高不下(要消耗大量煤)。随着科学技术的发展,人们利用真空罐,在45~60°C,将原料奶的水蒸发,提离效率和质量。针对上述案例,下述说法错误的是()

A.炼乳流程的优化建立在对生产工艺进一步认识的基础上

B.炼乳设备的改进,实现了流程工艺的优化

C.炼乳流程的优化,综合考虑到浓缩、保持营养成分、降低成本等多种目的

D.炼乳流程的优化.主要表现在环节的减少

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