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第2题
题图E6-32是两级放大电路，前级为场效应管放大电路，后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS，UBE⌘
题图E6-32是两级放大电路，前级为场效应管放大电路，后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS，UBE=0.6V，β=80，试求:(1)放大电路的总电压放大倍数;(2)放大电路的输入电阻和输出电阻。
第4题
在图7.9.7所示的分压式自偏共源放大电路中，RG=1MΩ，RG1=40kΩ，RG2=10Ω，RD=RS=2
.5Ω，RL=10kΩ，UDD=20V，各电容的容抗均可忽略，已知场效应管的夹断电压Up=2V，饱和漏极电流IDSS=8mA。
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(1) 求静态工作点和跨导;
(2) 画出微变等效电路，计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
第6题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：(1)该管
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管
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一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
