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题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为N_a=10¹⁶cm^-3,Nd=1.5X10¹⁷cm^-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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更多“已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为Na=1016cm-3,Nd…”相关的问题

第1题

构成CCD的基本单元是（)。

A.光敏二极管

B.MOS电容器

C.PN结

D.P型硅

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第2题

在足够能量的光照条件，晶体硅太阳能电池板在PN结的建电场作用下，N区的向P区运动，P区的（）向N区运动

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第3题

二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（)。

A.降低

B.增加

C.不变

D.先降低后增加

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第4题

试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？

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第5题

三极管有（)个PN结。

A.4

B.3

C.2

D.1

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第6题

晶体三极管中有几个PN结？（)

A.0

B.1

C.2

D.3

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第7题

一般情况下，电力晶体管有（）个PN结。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第8题

一般情况下，我们知道，电力晶体管有（）个PN结。

A.1

B.2

C.3

D.4

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第9题

PN结具有单向导电性能，即加正向电压时PN结导通，加反向电压时的PN结截止。（)

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第10题

三极管有（）个电极，有（）个PN结，其中B极C极之间的PN结叫（），B极E极间的PN结叫（）。

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