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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在本征半导体中掺入少量的3价元素就成为()。

A.P型半导体

B.N型半导体

C.PN结

D.纯净半导体

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第1题
在本征半导体硅中,掺入微量的()元素,就形成了N型半导体。

A.四价

B.三价

C.五价

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第2题
在本征半导体中掺入微量五价元素形成()型半导体,掺入微量三价元素形成()型半导体。

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第3题
纯净半导体中掺入()元素可获得N型半导体。

A.二价

B.三价

C.四价

D.五价

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第4题
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?()

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体

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第5题
关于N型半导体的下列说法,正确的是()。

A.只存在一种载流子:自由电子

B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成

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第6题
关于P型半导体的下列说法,错误的是()。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

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第7题
关于辐射跃迁,以下说法正确的是?()

A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C.作为半导体发光材料,要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D.辐射跃迁包括带间跃迁,有杂质或缺陷参与的跃迁,以及带内跃迁

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第8题
在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷,可形成()

A.N型半导体

B.P型半导体

C.PN结

D.导体

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第9题
纯净半导体称为本征半导体,本征半导体中载流子分别是()和()。
纯净半导体称为本征半导体,本征半导体中载流子分别是()和()。

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第10题
在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。

A.W型

B.N型有P型

C.U型

D.V型

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第11题
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。()
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