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[主观题]
第三代半导体材料在光电子器件、电力电子器件、固态光源、半导体激光器等领域有着广泛的应用，下列属于第三代半导体材料的有()。
第三代半导体材料在光电子器件、电力电子器件、固态光源、半导体激光器等领域有着广泛的应用，下列属于第三代半导体材料的有（)。
A.碳化硅
B.氮化镓
C.氮化铝
D.金刚石
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A.半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程
B.辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁
C.作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势
D.辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁
现有三块半导体硅材料，已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为：p01=2．25×1016cm-3，p02=1．5×1010cm-3，p03=2．25×104cm-3。 (1)分别计算这三块材料的电子浓度n01、n02、n03；(2)判别这三块材料的导电类型；(3)分别计算这三块材料的费米能级的位置。
A.硅原子既不易失去电子又不易得到电子，主要形成四价的化合物
B.硅是构成矿物和岩石的主要元素，硅在地壳中的含量在所有的元素中居第一位
C.硅的化学性质不活泼，在自然界中可以以游离态存在
D.硅在电子工业中，是最重要的半导体材料
