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[主观题]

在常温下,锗二极管的死区电压约为0.5V,正向导通电压约为0.7V。()

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第1题
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第2题
锗材料二极管的PN结导通电压典型值为()。

A.0.5V

B.0.1V

C.0.3V

D.0.7V

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第3题
在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U2=24V,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得RL的电压值约为21.6V,问电路的现象是()。

A.正常工作情况

B.RL开路

C.C开路

D.一个二极管和C开路

E.一个二极管开路

F.其它情况

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第4题
按晶体二极管所用的材料可分为锗二极管和硅二极管两类。()
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第5题
硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
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第6题
硅二极管的热稳定性能比锗二极管的要差。()
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第7题
二极管的最大反向电流越大,说明二极管的单向导电性越好,硅管的反向电流较锗管大。()
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第8题
整流器在正常工作时,每个整流元件的正向电压降不大于()。

A.0.1V

B.0.5V

C.1V

D.1.5V

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第9题
锗二极管正向电阻应大于100千欧,电阻越大越好,最好是无穷大。()
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第10题
晶体二极管按结构可分为()。

A.点接触型和面接触型

B.锗二极管和硅二极管

C.大功率二极管和小功率二极管

D.普通二极管和整流二极管

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第11题
TTL电路参数规定输出电压低于()就算是低电平。

A.1V

B.0.5V

C.0.35V

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